Výrobca Číslo produktu:
SIA443DJ-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIA443DJ-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 3.3W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventár:
12786032
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIA443DJ-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
45mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
750 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.3W (Ta), 15W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SC-70-6
Balenie / puzdro
PowerPAK® SC-70-6
Základné číslo produktu
SIA443
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SIA431DJ-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3531
ČÍSLO DIELU
SIA431DJ-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
PMPB33XP,115
VÝROBCA
NXP USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
31498
ČÍSLO DIELU
PMPB33XP,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.08
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIRA50ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
SQJA94EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
SUM90P10-19-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263