Výrobca Číslo produktu:
SIA462DJ-T4-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIA462DJ-T4-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 12A/12A PPAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventár:
12917707
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIA462DJ-T4-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
570 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SC-70-6
Balenie / puzdro
PowerPAK® SC-70-6
Základné číslo produktu
SIA462
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI5445BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
SIHU3N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251
SI7421DN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK1212-8
