Výrobca Číslo produktu:
SIA472EDJ-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIA472EDJ-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Inventár:
12914893
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIA472EDJ-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 10.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1265 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
19.2W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SC-70-6 Single
Balenie / puzdro
PowerPAK® SC-70-6
Základné číslo produktu
SIA472
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR9014TRL
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IRFIBC30G
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
SI9435BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
