Výrobca Číslo produktu:
SIA810DJ-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIA810DJ-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventár:
12919861
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIA810DJ-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
LITTLE FOOT®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
53mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11.5 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
400 pF @ 10 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Isolated)
Stratový výkon (max.)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Balenie / puzdro
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Základné číslo produktu
SIA810
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHFR9120-GE3
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
SIE802DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
SIA110DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
