Výrobca Číslo produktu:
SIB455EDK-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIB455EDK-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventár:
12965912
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIB455EDK-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
27mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±10V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SC-75-6
Balenie / puzdro
PowerPAK® SC-75-6
Základné číslo produktu
SIB455
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIB455EDK-T1-GE3TR
SIB455EDKT1GE3
SIB455EDK-T1-GE3DKR
SIB455EDK-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SIB441EDK-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2930
ČÍSLO DIELU
SIB441EDK-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.12
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI7469DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
SIHP6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
SUG80050E-GE3
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
