Výrobca Číslo produktu:
SIE882DF-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIE882DF-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventár:
160 Ks Nové Originálne Na Sklade
12787019
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIE882DF-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6400 pF @ 12.5 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
10-PolarPAK® (L)
Balenie / puzdro
10-PolarPAK® (L)
Základné číslo produktu
SIE882
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIE882DF-T1-GE3CT-DG
SIE882DF-T1-GE3DKR
SIE882DF-T1-GE3DKR-DG
SIE882DF-T1-GE3-DG
SIE882DF-T1-GE3TR
SIE882DF-T1-GE3TR-DG
742-SIE882DF-T1-GE3TR
742-SIE882DF-T1-GE3DKR
SIE882DF-T1-GE3CT
742-SIE882DF-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHG40N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
SIHH100N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
SIJ800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
