Výrobca Číslo produktu:
SIHA14N60E-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHA14N60E-GE3-DG
Popis:
N-CHANNEL 600V
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventár:
1696 Ks Nové Originálne Na Sklade
12987232
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHA14N60E-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1205 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
147W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220 Full Pack
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
742-SIHA14N60E-GE3CT-DG
742-SIHA14N60E-GE3DKRINACTIVE
742-SIHA14N60E-GE3TR
742-SIHA14N60E-GE3CTINACTIVE
742-SIHA14N60E-GE3TR-DG
742-SIHA14N60E-GE3CT
742-SIHA14N60E-GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJQ1916_R1_00201
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
DMT64M1LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMN3066L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
