SIHA17N80E-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHA17N80E-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHA17N80E-GE3-DG

Popis:

N-CHANNEL 800V
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventár:

1980 Ks Nové Originálne Na Sklade
12985593
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHA17N80E-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2408 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
35W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220 Full Pack
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
742-SIHA17N80E-GE3TR
742-SIHA17N80E-GE3CT
742-SIHA17N80E-GE3DKRINACTIVE

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
nexperia

NXV100XPR

NXV100XP/SOT23/TO-236AB

diodes

DMN2053UWQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

infineon-technologies

BSS139IXTMA1

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3

stmicroelectronics

SCT040H65G3AG

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE