Výrobca Číslo produktu:
SIHA18N60E-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHA18N60E-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventár:
12921523
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHA18N60E-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
202mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1640 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
34W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220 Full Pack
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
SIHA18
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SK3707-1E
MOSFET N-CH 100V 20A TO220F-3SG
SIHFB11N50A-E3
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
FQD1N60TM
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
