Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
SIHA24N65EF-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHA24N65EF-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventár:
Online RFQ
12786788
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHA24N65EF-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
156mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2774 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
39W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220 Full Pack
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
SIHA24
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
SIHA24N65EF-E3-DG
Technické listy
SIHA24N65EF-E3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TSM60NB150CF C0G
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15
ČÍSLO DIELU
TSM60NB150CF C0G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.44
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TSM60NB190CF C0G
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3524
ČÍSLO DIELU
TSM60NB190CF C0G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.78
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
R6020ENX
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
46
ČÍSLO DIELU
R6020ENX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.44
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STF31N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1115
ČÍSLO DIELU
STF31N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.92
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STF21N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
998
ČÍSLO DIELU
STF21N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.11
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIS108DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK
SQD50N04-5M6_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
SIR438DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIHA21N65EF-E3
MOSFET N-CH 650V 21A TO220