Výrobca Číslo produktu:
SIHB11N80AE-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHB11N80AE-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
996 Ks Nové Originálne Na Sklade
12945158
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHB11N80AE-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
804 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
78W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SIHB11
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
742-SIHB11N80AE-GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
SQ2318BES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
SIDR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
