Výrobca Číslo produktu:
SIHB22N60AEL-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHB22N60AEL-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
77 Ks Nové Originálne Na Sklade
12787744
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHB22N60AEL-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
EL
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1757 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SIHB22
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SIHB22N60AEL-GE3CT-DG
SIHB22N60AEL-GE3DKR
SIHB22N60AEL-GE3CT
SIHB22N60AEL-GE3DKR-DG
SIHB22N60AEL-GE3DKRINACTIVE
SIHB22N60AEL-GE3TRINACTIVE
SIHB22N60AEL-GE3TR
SIHB22N60AEL-GE3TR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
R6020KNJTL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1540
ČÍSLO DIELU
R6020KNJTL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.47
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQV120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
SIHP28N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
SQM40061EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
