SIHB24N65EFT1-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHB24N65EFT1-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHB24N65EFT1-GE3-DG

Popis:

N-CHANNEL 650V
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

2741 Ks Nové Originálne Na Sklade
12977784
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHB24N65EFT1-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
156mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2774 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
SIHB24N65EF

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
800
Iné mená
742-SIHB24N65EFT1-GE3CT
742-SIHB24N65EFT1-GE3DKR
742-SIHB24N65EFT1-GE3TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRFR9024PBF-BE3

P-CHANNEL 60V

vishay-siliconix

SQ3461EV-T1_BE3

P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI2304BDS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIDR638DP-T1-RE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET