Výrobca Číslo produktu:
SIHD6N65ET1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHD6N65ET1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12919235
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHD6N65ET1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
820 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
78W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SIHD6
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFA14N60P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
50
ČÍSLO DIELU
IXFA14N60P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.25
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB13NK60ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
757
ČÍSLO DIELU
STB13NK60ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.79
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB14NK60ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB14NK60ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.98
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIR414DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
SIJ482DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
PMPB43XPE,115
MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6