Výrobca Číslo produktu:
SIHF9Z34STRL-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHF9Z34STRL-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CHANNEL 60V
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
732 Ks Nové Originálne Na Sklade
12977863
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHF9Z34STRL-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
140mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
742-SIHF9Z34STRL-GE3TR
742-SIHF9Z34STRL-GE3CT
742-SIHF9Z34STRL-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF9Z34STRRPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
398
ČÍSLO DIELU
IRF9Z34STRRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.20
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
IRF9Z34STRLPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5359
ČÍSLO DIELU
IRF9Z34STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.79
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHD11N80AE-T1-GE3
N-CHANNEL 800V
SQJ481EP-T1_BE3
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
SQJA76EP-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
