SIHFR9310TRL-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHFR9310TRL-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHFR9310TRL-GE3-DG

Popis:

MOSFET P-CHANNEL 400V
Podrobný popis:
P-Channel 400 V 1.8A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventár:

7207 Ks Nové Originálne Na Sklade
12977775
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHFR9310TRL-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
400 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
270 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
IRFR9310, IRFU9310, SiHFR9310, SiHFU9310

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SIHFR9310TRL-GE3TR
742-SIHFR9310TRL-GE3DKR
742-SIHFR9310TRL-GE3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI2318CDS-T1-BE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

IRFR420PBF-BE3

N-CHANNEL 500V

vishay-siliconix

SIDR402DP-T1-RE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIDR140DP-T1-RE3

N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET