Výrobca Číslo produktu:
SIHG14N50D-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHG14N50D-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
491 Ks Nové Originálne Na Sklade
12917313
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHG14N50D-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
400mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1144 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SIHG14
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFH20N50P3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
146
ČÍSLO DIELU
IXFH20N50P3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.74
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STW14NK50Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
66
ČÍSLO DIELU
STW14NK50Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.95
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIRA52ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
SI3446ADV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
SI4466DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
