Výrobca Číslo produktu:
SIHG22N65E-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHG22N65E-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
12964780
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHG22N65E-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2415 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
227W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SIHG22
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW28N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
96
ČÍSLO DIELU
STW28N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.56
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJP18N20_T0_00001
TO-220AB, MOSFET
2N7002K_R1_00001
SOT-23, MOSFET
SQJQ148ER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
