Výrobca Číslo produktu:
SIHG24N80AEF-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHG24N80AEF-GE3-DG
Popis:
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
396 Ks Nové Originálne Na Sklade
12974714
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
DtPl
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHG24N80AEF-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
EF
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
195mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1889 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
742-SIHG24N80AEF-GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMC7678-L701
PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
NTDV20P06LT4G-VF01
PFET DPAK 60V 15.5A 130R
PMV52ENER
PMV52ENE/SOT23/TO-236AB