Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
SIHG47N60E-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHG47N60E-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
225 Ks Nové Originálne Na Sklade
12916251
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHG47N60E-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
47A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
64mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9620 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
357W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SIHG47
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
SIHG47N60E-E3-DG
Technické listy
SIHG47N60E-E3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
SIHG47N60EE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFK80N60P3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
724
ČÍSLO DIELU
IXFK80N60P3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
11.60
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXFX80N60P3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3
ČÍSLO DIELU
IXFX80N60P3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
11.27
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCH072N60
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
39
ČÍSLO DIELU
FCH072N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.53
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCH070N60E
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
473
ČÍSLO DIELU
FCH070N60E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.38
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
APT53N60BC6
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
67
ČÍSLO DIELU
APT53N60BC6-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.85
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQJA90EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SI1470DH-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
SIE818DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
SIHU6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK