SIHP052N60EF-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHP052N60EF-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHP052N60EF-GE3-DG

Popis:

MOSFET EF SERIES TO-220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 48A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

1000 Ks Nové Originálne Na Sklade
13140971
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHP052N60EF-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
EF
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
48A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
52mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3380 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
278W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHP052

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
SIHP052N60EF

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
742-SIHP052N60EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHP052N60EF-GE3TR-ND
742-SIHP052N60EF-GE3DKRINACTIVE
742-SIHP052N60EF-GE

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIHA105N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

vishay

SIHB105N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

vishay-siliconix

SISS94DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK

rohm-semi

R6030JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM