Výrobca Číslo produktu:
SIHP100N60E-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHP100N60E-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12787652
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHP100N60E-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1851 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHP100
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPP65R125C7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
470
ČÍSLO DIELU
IPP65R125C7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.09
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPP60R099CPXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1235
ČÍSLO DIELU
IPP60R099CPXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.08
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SIHG100N60E-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
378
ČÍSLO DIELU
SIHG100N60E-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.86
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
FCP104N60F
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
794
ČÍSLO DIELU
FCP104N60F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.67
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUD50P08-26-E3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252
SIHG21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC
SQM40N10-30_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
