Výrobca Číslo produktu:
SIHP15N65E-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHP15N65E-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12786054
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHP15N65E-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1640 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
34W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHP15
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SIHP15N65E-GE3CT
SIHP15N65E-GE3CT-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCP16N60
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1942
ČÍSLO DIELU
FCP16N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.75
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPP60R280C6XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
83
ČÍSLO DIELU
IPP60R280C6XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.10
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP18N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
896
ČÍSLO DIELU
STP18N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.26
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP16N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
132
ČÍSLO DIELU
STP16N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.36
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHB8N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO263
SIHJ8N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
SIHD12N50E-GE3
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
