SIHP16N50C-BE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHP16N50C-BE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHP16N50C-BE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

997 Ks Nové Originálne Na Sklade
12939488
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHP16N50C-BE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1900 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHP16

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
742-SIHP16N50C-BE3

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SQ3427EV-T1_BE3

MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

vishay-siliconix

SQ7415AEN-T1_BE3

MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8

vishay-siliconix

SQ2351ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

rohm-semi

RRS040P03FRATB

MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP