Výrobca Číslo produktu:
SIHP21N65EF-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHP21N65EF-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12787533
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHP21N65EF-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2322 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHP21
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP25N60M2-EP
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1008
ČÍSLO DIELU
STP25N60M2-EP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.19
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TK17E65W,S1X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12
ČÍSLO DIELU
TK17E65W,S1X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.35
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP31N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1095
ČÍSLO DIELU
STP31N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.77
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP20N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
945
ČÍSLO DIELU
STP20N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.36
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIR112DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
SIHP22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
SIHA15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
