SIHP22N60E-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHP22N60E-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHP22N60E-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole

Inventár:

12916373
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHP22N60E-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1920 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
227W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHP22

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SIHP22N60E-GE3CT
SIHP22N60E-GE3TRINACTIVE
SIHP22N60E-GE3TR
SIHP22N60E-GE3TR-DG
SIHP22N60E-GE3CT-DG
SIHP22N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHP22N60E-GE3DKR
SIHP22N60E-GE3DKR-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
STP24N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
189
ČÍSLO DIELU
STP24N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.21
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SIHG22N60E-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
498
ČÍSLO DIELU
SIHG22N60E-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.88
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
STP30N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5189
ČÍSLO DIELU
STP30N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.17
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP24N60DM2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
105
ČÍSLO DIELU
STP24N60DM2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.48
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP31N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1095
ČÍSLO DIELU
STP31N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.77
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SQJ411EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIE848DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SIHF23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A TO220

vishay-siliconix

SQJ858EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8