SIHP24N65E-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHP24N65E-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHP24N65E-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

12921038
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHP24N65E-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2740 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHP24

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SIHP24N65E-GE3CT
SIHP24N65E-GE3CT-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
STP24N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
189
ČÍSLO DIELU
STP24N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.21
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SPP24N60C3XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
129
ČÍSLO DIELU
SPP24N60C3XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.95
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP24NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
486
ČÍSLO DIELU
STP24NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.39
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP30N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5189
ČÍSLO DIELU
STP30N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.17
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP33N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
727
ČÍSLO DIELU
STP33N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.08
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SQJ469EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SISS26DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S

onsemi

2N7002L

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

vishay-siliconix

SIJ400DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8