SIHP30N60AEL-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHP30N60AEL-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHP30N60AEL-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

12786205
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHP30N60AEL-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
EL
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
28A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
120mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2565 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHP30

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SIHP30N60AEL-GE3CT
SIHP30N60AEL-GE3DKR
SIHP30N60AEL-GE3DKRINACTIVE
SIHP30N60AEL-GE3TR
SIHP30N60AEL-GE3TR-DG
SIHP30N60AEL-GE3CT-DG
SIHP30N60AEL-GE3TRINACTIVE
SIHP30N60AEL-GE3DKR-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
STP40N65M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
37
ČÍSLO DIELU
STP40N65M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.57
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
AOTF42S60L
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1270
ČÍSLO DIELU
AOTF42S60L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.89
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP33N65M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
712
ČÍSLO DIELU
STP33N65M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.70
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP35N60DM2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STP35N60DM2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.54
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP34N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
241
ČÍSLO DIELU
STP34N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.82
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W

vishay-siliconix

SQ2301ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236

vishay-siliconix

SIHP30N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

vishay-siliconix

SUD50N025-06P-E3

MOSFET N-CH 25V 78A TO252