Výrobca Číslo produktu:
SIHP30N60E-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHP30N60E-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
Inventár:
12787728
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHP30N60E-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
29A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2600 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHP30
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SIHP30N60E-GE3TRINACTIVE
SIHP30N60E-GE3DKR-DG
SIHP30N60E-GE3TR
SIHP30N60E-GE3TR-DG
SIHP30N60E-GE3CT-DG
SIHP30N60E-GE3DKR
SIHP30N60E-GE3CT
SIHP30N60E-GE3DKRINACTIVE
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
AOT42S60L
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16990
ČÍSLO DIELU
AOT42S60L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.63
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPP60R099CPXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1235
ČÍSLO DIELU
IPP60R099CPXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.08
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPP60R125C6XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
483
ČÍSLO DIELU
IPP60R125C6XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.54
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPP60R125CPXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4944
ČÍSLO DIELU
IPP60R125CPXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.00
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPP60R099P7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1904
ČÍSLO DIELU
IPP60R099P7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.78
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
VS-FA40SA50LC
MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227
SIHD7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
SUP50N03-5M1P-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB
