SIHP7N60E-BE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHP7N60E-BE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHP7N60E-BE3-DG

Popis:

N-CHANNEL 600V
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

1990 Ks Nové Originálne Na Sklade
12977854
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHP7N60E-BE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
680 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
78W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
742-SIHP7N60E-BE3
742-SIHP7N60E-BE3TR-DG
742-SIHP7N60E-BE3TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SQJ860EP-T1_BE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHD11N80AE-T4-GE3

N-CHANNEL 800V

vishay-siliconix

SQS482EN-T1_BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHP4N80E-BE3

N-CHANNEL 600V