Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
SIHW70N60EF-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHW70N60EF-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 70A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventár:
Online RFQ
12919036
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHW70N60EF-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
70A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
38mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7500 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
520W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AD
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SIHW70
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
SIHW70N60EF-GE3-DG
Technické listy
SIHW70N60EF-GE3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPW65R041CFDFKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3
ČÍSLO DIELU
IPW65R041CFDFKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
13.60
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCH041N60E
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
130
ČÍSLO DIELU
FCH041N60E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.29
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPW60R040C7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
464
ČÍSLO DIELU
IPW60R040C7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.74
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPW60R045CPAFKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
83
ČÍSLO DIELU
IPW60R045CPAFKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
12.42
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCH041N65EF-F155
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
450
ČÍSLO DIELU
FCH041N65EF-F155-DG
CENA ZA JEDNOTKU
8.93
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4396DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
SIHF15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
SIE832DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
SI6433BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP