Výrobca Číslo produktu:
SIJ188DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIJ188DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 25.5A (Ta), 92.4A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
3440 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786958
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIJ188DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen IV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.85mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.6V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1920 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIJ188
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIJ188DP-T1-GE3TR
SIJ188DP-T1-GE3DKR
SIJ188DP-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHD6N62E-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
SIR164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
