Výrobca Číslo produktu:
SIR182DP-T1-RE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIR182DP-T1-RE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
3679 Ks Nové Originálne Na Sklade
12919108
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIR182DP-T1-RE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen IV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.6V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3250 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
69.4W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIR182
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIR182DP-T1-RE3DKR
SIR182DP-T1-RE3CT
SIR182DP-T1-RE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQM100N02-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO263
SIDR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
SI4453DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
