Výrobca Číslo produktu:
SIR476DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIR476DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
12954279
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIR476DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6150 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIR476
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIR476DPT1GE3
SIR476DP-T1-GE3CT
SIR476DP-T1-GE3DKR
SIR476DP-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
CSD16401Q5
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5449
ČÍSLO DIELU
CSD16401Q5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.02
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SIRA24DP-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11221
ČÍSLO DIELU
SIRA24DP-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.29
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FCH35N60
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
DMT15H017LPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
SIHP22N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
