Výrobca Číslo produktu:
SIR874DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIR874DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
12966449
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIR874DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
985 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIR874
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
CSD16412Q5A
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4364
ČÍSLO DIELU
CSD16412Q5A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
CSD16410Q5A
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2506
ČÍSLO DIELU
CSD16410Q5A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
MSJU11N65-TP
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
SIB413DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
MCAC80N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 80A DFN5060
