Výrobca Číslo produktu:
SIRA01DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIRA01DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 26A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
7886 Ks Nové Originálne Na Sklade
12920432
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIRA01DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen IV
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
26A (Ta), 60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+16V, -20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3490 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIRA01
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIRA01DP-T1-GE3DKR
SIRA01DP-T1-GE3CT
SIRA01DP-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
SUP40N10-30-GE3
MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
SISH402DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
