Výrobca Číslo produktu:
SIRA32DP-T1-RE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIRA32DP-T1-RE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
5894 Ks Nové Originálne Na Sklade
12966333
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIRA32DP-T1-RE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen IV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+16V, -12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4450 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
65.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIRA32
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIRA32DP-T1-RE3CT
SIRA32DP-T1-RE3DKR
SIRA32DP-T1-RE3TR
SIRA32DP-T1-RE3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHF12N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
SIR826DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SQS420EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
