Výrobca Číslo produktu:
SIS439DNT-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIS439DNT-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventár:
12786451
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIS439DNT-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.8V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2135 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Prevádzková teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8S
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8S
Základné číslo produktu
SIS439
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIS439DNT-T1-GE3DKR
SIS439DNT-T1-GE3TR
SIS439DNT-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDMC6679AZ
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
70
ČÍSLO DIELU
FDMC6679AZ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.49
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
BSZ086P03NS3GATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6668
ČÍSLO DIELU
BSZ086P03NS3GATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.29
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SISH402DN-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
30
ČÍSLO DIELU
SISH402DN-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMG7401SFG-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1455
ČÍSLO DIELU
DMG7401SFG-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.15
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
BSZ086P03NS3EGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6713
ČÍSLO DIELU
BSZ086P03NS3EGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.29
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIR165DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SQS462EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
SUM110N10-09-E3
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
