Výrobca Číslo produktu:
SIS472ADN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIS472ADN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 24A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
12787424
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIS472ADN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1515 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
28W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SIS472
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RQ1E070RPTR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7064
ČÍSLO DIELU
RQ1E070RPTR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.41
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3E120GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11286
ČÍSLO DIELU
RQ3E120GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ1E075XNTCR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
26907
ČÍSLO DIELU
RQ1E075XNTCR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQJ443EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
SUM90N06-5M5P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO263
SIR798DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
