Výrobca Číslo produktu:
SIS890DN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIS890DN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
38385 Ks Nové Originálne Na Sklade
12916096
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIS890DN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
23.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
802 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SIS890
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIS890DN-T1-GE3DKR
SIS890DN-T1-GE3TR
SIS890DN-T1-GE3CT
SIS890DNT1GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQJ409EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
SIE818DF-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
SQJ401EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
