Výrobca Číslo produktu:
SISA01DN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SISA01DN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 22.4A (Ta), 60A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
2281 Ks Nové Originálne Na Sklade
12920947
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SISA01DN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen IV
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22.4A (Ta), 60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+16V, -20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3490 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SISA01
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SISA01DN-T1-GE3DKR
SISA01DN-T1-GE3CT
SISA01DN-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RQ1E050RPTR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1674
ČÍSLO DIELU
RQ1E050RPTR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3E110AJTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13988
ČÍSLO DIELU
RQ3E110AJTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.22
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3E080GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2993
ČÍSLO DIELU
RQ3E080GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.10
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3E070BNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6697
ČÍSLO DIELU
RQ3E070BNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.09
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ7E055ATTCR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
326
ČÍSLO DIELU
RQ7E055ATTCR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.36
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIR668DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
TPN7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
TPN2R903PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON