SISH892BDN-T1-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SISH892BDN-T1-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SISH892BDN-T1-GE3-DG

Popis:

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 6.8A (Ta), 20A (Tc) 3.4W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

Inventár:

1081 Ks Nové Originálne Na Sklade
12990167
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SISH892BDN-T1-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen IV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.8A (Ta), 20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
26.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1110 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.4W (Ta), 29W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8DC
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
SISH892BDN-T1-GE3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SISH892BDN-T1-GE3DKR
742-SISH892BDN-T1-GE3TR
742-SISH892BDN-T1-GE3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
nexperia

PSMNR98-25YLEX

PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK

unitedsic

UJ4C075033B7S

750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,

nexperia

PSMN5R5-100YSFX

PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK

nexperia

PSMNR89-25YLEX

PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK