Výrobca Číslo produktu:
SISS27ADN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SISS27ADN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventár:
8999 Ks Nové Originálne Na Sklade
12920501
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SISS27ADN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen III
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
55 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4660 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
57W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8S
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8S
Základné číslo produktu
SISS27
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SISS27ADN-T1-GE3TR
SISS27ADN-T1-GE3DKR
SISS27ADN-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUD08P06-155L-T4E3
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
SIR826DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIS322DNT-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
