Výrobca Číslo produktu:
SISS60DN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SISS60DN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventár:
5995 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786623
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SISS60DN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen IV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.31mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
85.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+16V, -12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3960 pF @ 15 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Body)
Stratový výkon (max.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8S
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8S
Základné číslo produktu
SISS60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SISS60DN-T1-GE3DKR
SISS60DN-T1-GE3TR
742-SISS60DN-T1-GE3TR
SISS60DN-T1-GE3TR-DG
SISS60DN-T1-GE3DKR
SISS60DN-T1-GE3CT-DG
SISS60DN-T1-GE3DKR-DG
SISS60DN-T1-GE3CT
742-SISS60DN-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHP16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
SISA72ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
SIA461DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
