Výrobca Číslo produktu:
SISS98DN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SISS98DN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 14.1A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
12954780
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SISS98DN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
ThunderFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
105mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 7.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
608 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
57W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SISS98
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SISS98DN-T1-GE3DKR
SISS98DN-T1-GE3CT
SISS98DN-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AUIRFR5505TRL
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
UF3C120150K4S
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
