Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
SIZ918DT-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIZ918DT-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Inventár:
21637 Ks Nové Originálne Na Sklade
12787776
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIZ918DT-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A, 28A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
790pF @ 15V
Výkon - Max
29W, 100W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Balík zariadení dodávateľa
8-PowerPair® (6x5)
Základné číslo produktu
SIZ918
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
SIZ918DT-T1-GE3-DG
Technické listy
SIZ918DT-T1-GE3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIZ918DT-T1-GE3CT
SIZ918DT-T1-GE3TR
SIZ918DT-T1-GE3DKR
SIZ918DTT1GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
VQ1001P-E3
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
SIZ328DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33
SI7946DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8
A1F25M12W2-F1
SIC 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1