Výrobca Číslo produktu:
SIZ980DT-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIZ980DT-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20W, 66W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Inventár:
7153 Ks Nové Originálne Na Sklade
12787644
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIZ980DT-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual), Schottky
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Výkon - Max
20W, 66W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Balík zariadení dodávateľa
8-PowerPair® (6x5)
Základné číslo produktu
SIZ980
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIZ980DT-T1-GE3-DG
SIZ980DT-T1-GE3CT-DG
SIZ980DT-T1-GE3DKR-DG
SIZ980DT-T1-GE3TR-DG
SIZ980DT-T1-GE3CT
742-SIZ980DT-T1-GE3CT
742-SIZ980DT-T1-GE3DKR
SIZ980DT-T1-GE3TR
742-SIZ980DT-T1-GE3TR
SIZ980DT-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI9934BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
SIZ902DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
SIZ988DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8PWRPAIR
