Výrobca Číslo produktu:
SQ2398ES-T1_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQ2398ES-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 1.6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventár:
224582 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786737
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQ2398ES-T1_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
152 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3 (TO-236)
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
SQ2398
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SQ2398ES-T1_GE3DKR
SQ2398ES-T1_GE3TR
SQ2398ES-T1_GE3CT
SQ2398ES-T1_GE3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQJ463EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
SQ2361AEES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
