Výrobca Číslo produktu:
SQ3426AEEV-T1_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQ3426AEEV-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
9982 Ks Nové Originálne Na Sklade
12965811
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQ3426AEEV-T1_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
42mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
SQ3426
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SQ3426AEEV-T1_GE3CT
SQ3426AEEV-T1_GE3DKR
SQ3426AEEV-T1-GE3
SQ3426AEEV-T1_GE3-DG
SQ3426AEEV-T1_GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4876DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
