Výrobca Číslo produktu:
SQ3481EV-T1_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQ3481EV-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 7.5A (Tc) 4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
4043 Ks Nové Originálne Na Sklade
12916914
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQ3481EV-T1_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
43mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
870 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
4W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
SQ3481
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SQ3481EV-T1_GE3CT
SQ3481EV-T1_GE3-DG
SQ3481EV-T1_GE3DKR
SQ3481EV-T1_GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIR880DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIHG73N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
SIHH21N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8